歡迎光臨我們的網站

資訊熱線:

13821448887
天津12Cr1MoVG鋼管網 > 20G高壓管行情 > 20G高壓管施工工藝技術
產品中心
新聞資訊
信息詳情

20G高壓管施工工藝技術

    來源:www.rmltnt.tw 發布時間:2014/11/25 14:31:09 點擊:


20G高壓管可以通過加大溝道長來加大管子的耐壓性,如柵寬3um以上可以耐壓12V。但更高的電壓就需要特殊結構以保證管子的耐壓性。對于耐壓高的MOS器件, Ron主要由外延區電阻決定。


外延層愈厚, 電阻率越高, 擊穿電壓也愈高, 同時導通電阻也越大。一般采用偏置柵(Offset-Gate)MOS 的基本結構,所謂偏置柵,是指柵沒有完全覆蓋到漏極(N+/P+)區上,而是與其由一段距離,在這段距離內由離子注入(或擴散)形成一個薄的與漏極同型的區域(N/P),稱為漂移區(或漏極延伸區)。


漏源在承受高電壓時,此漂移區因為濃度較低而首先耗盡,從而起到耐壓的作用。在N阱CMOS工藝下做20G高壓管時,這個漂移區就用N阱來做;P阱工藝做P管時用阱來做。但如前所述,用阱來做漂移區有一定的局限性,N阱工藝只能做HVNMOS,P阱只能做HVPMOS。


所以也可以加幾道工序,自廠CMOS工藝中就加了第25層HVN(26HVP層)來代替N阱(或P阱)形成漂移區。偏置柵有單偏(即一邊具有NWELL漂移區)和雙偏(S\D兩邊都加入了HVN來作為漂移區)兩種,如圖中的N阱為漂移區的HVNMOS為單偏,HVN為漂移區的為雙偏。
 

因此,功率MOS器件存在擊穿電壓與導通電阻的矛盾, 二者都主要取決于外延區參數(厚度和摻雜濃度),通過變量積分法求出了VDMOS在最優摻雜分布條件下外延區比導通電阻R on隨穿通擊穿電壓B V PT成2. 5次上升的關系。


20G高壓管施工工藝技術

相關資訊
澳门真钱